首页    器件    MOSFET    13N50

13N50

描述TO-263 封装 N 沟道 MOS 场效

特征低的门槛电压、反向传输电容小、开关速度快

用途用于小型化高效率的开关电源的 AC/DC 功率转换

内部等效电路

img1

引脚排列

img2

电性能参数

参数

Parameter

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

最小值

Min

典型值

Typ

最大值

Max

单位

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V        ID=250μA

500



V


Zero Gate Voltage Drain Current


IDSS

VDS=500V        VGS=0V



1.0

μA

VDS=400V        TC=125



10

μA

Gate-Body Leakage Current, Forward


IGSS


VGS=±30V        VDS=0V




±0.1


μA

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS        ID=250μA

2.0


4.0

V

Static Drain-Source

On-Resistance


RDS(on)


VGS=10V        ID=6.5A



0.39


0.48


Forward Transconductance

gFS

VDS=40V        ID=6.5A


15


S

Drain-Source Diode Forward

Voltage


VSD


VGS=0V        IS=13A




1.4


V

Input Capacitance

Ciss


VDS=25V        VGS=0V

f=1.0MHz


1580

2055

pF

Output Capacitance

Coss


180

235

pF

Reverse Transfer Capacitance

Crss


20

25

pF

Turn-On Delay Time

td(on)



VDD=300V        ID=13A RG=25Ω


25

60

ns

Turn-On Rise Time

tr


100

210

ns

Turn-Off Delay Time

td(off)


130

270

ns

Turn-Off Fall Time

tf


100

210

ns