20N50
描述：TO-3P 塑封封装 N 沟 MOS 场效应管。
特征：低栅极电荷，开关速度快，雪崩能量高，dv/dt 能力强。
用途：用于高电压、高速功率开关应用，如高效率开关模电源、功率因数校正。
内部等效电路
引脚排列
PIN1：Gate PIN 2：Drain PIN 3：Source
电性能参数
参数 Parameter | 符号 Symbol | 测试条件 Test Conditions | 最小值 Min | 典型值 Typ | 最大值 Max | 单位 Unit |
Drain-to-Source Breakdown Voltage | VDSS | VGS=0V ID=250μA | 500 | V | ||
Drain-to-Source Leakage Current | IDSS | VDS=500V VGS=0V | 1.0 | μA | ||
VDS=400V TC=125℃ | 10 | |||||
Gate-to-Source Forward Leakage | IGSS | VGS=±30V VDS=0V | ±100 | nA | ||
Gate Threshold Voltage | VGS(th) | VDS=VGS ID=250μA | 2.0 | 5.0 | V | |
Static Drain-to-Source On-Resistance | RDS(on) | VGS=10V ID=10A | 0.21 | 0.26 | Ω | |
Diode Forward Voltage | VSD | VGS=0V ISD=20A | 1.5 | V | ||
Input Capacitance | Ciss | VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz | 2700 | pF | ||
Output Capacitance | Coss | 400 | ||||
Reverse Transfer Capacitance | Crss | 40 | ||||
Turn-On Delay Time | td(on) | VDD=250V ID=20A RG=2.5Ω | 100 | ns | ||
Rise Time | tr | 400 | ||||
Turn-Off Delay Time | td(off) | 100 | ||||
Fall Time | tf | 100 | ||||
Total Gate Charge | Qg | VDS=400V ID=20A VGS=10V | 70 | nC | ||
Gate-Source Charge | Qgs | 18 | ||||
Gate-Drain Charge | Qgd | 35 |
