50N10

参数

Parameter

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

最小值

Min

典型值

Typ

最大值

Max

单位

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

VDSS

VGS=0V        ID=250μA

100

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=84V        VGS=0V

1.0

μA

VDS=84V        VGS=0V Ta=125℃

10

Gate-Body Leakage Current

Forward

IGSS

VGS=±20V        VDS=0V

±0.1

μA

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS        ID=250μA

2

2.8

4

V

Forward Transconductance

gfs

VDS=25V        ID=20A

20

S

Static Drain-Source

On-Resistance

RDS(on)

VGS=10V        ID=20A

0.024

0.028

Ω

Forward On Voltage

VSD

VGS=0V

1.3

V

Input Capacitance

Ciss

VGS=0V        VDS=25V

f=1.0MHz

1780

pF

Output Capacitance

Coss

265

Reverse Transfer Capacitance

Crss

112

Turn-On Delay Time

td(on)

ID=20A        VDD=50V VGS=10V        RG=4.7Ω

28

ns

Turn-On Rise Time

tr

63

Turn-Off Delay Time

td(off)

84

Turn-Off Fall Time

tf

28

Total Gate Charge

Qg

ID=40A        VDD=15V VGS=10V

60

80

nC

Gate-Source Charge

Qgs

10

Gate-Drain Charge

Qgd

23