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80N06

描述TO-220 封装 N 沟道 MOS 场效

特征RDS(on)小,电荷低,Crss 小,开关速度快

用途用于低压电路如:汽车电路、DC/DC 转换、便携式产品的电源高效转换

内部等效电路

img1

引脚排列

img2

电性能参数

参数

Parameter

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

最小值

Min

典型值

Typ

最大值

Max

单位

Unit

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=60V        VGS=0V



10

μA

Gate-Body Leakage Current

Forward


IGSS


VGS=±20V        VDS=0V




±0.1


μA

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=10V        ID=1.0mA

2.0

3.0

4.0

V

Forward On Voltage

VSD

IF=84A        VGS=0V


1.0

1.5

V

Static Drain-Source

On-Resistance


RDS(on)


VGS=10V        ID=42A



7


10


m

Forward Transconductance

gFS

VGS=10V        ID=30A

16

31


S

Input Capacitance

Ciss


VDS=10V        VGS=0V

f=1.0MHz


5300




pF

Output Capacitance

Coss


540


Reverse Transfer Capacitance

Crss


330


Total Gate Charge

QG


VDD=48V        ID=84A VGS=10V


90


nC

Gate to Source Charge

QGS


21


nC

Gate to Drain Charge

QGD


30


nC

Turn-On Delay Time

td(on)



VDD=30V        VGS=10V ID=42A        RG=0Ω


25





ns

Turn-On Rise Time

tr


17


Turn-Off Delay Time

td(off)


66


Turn-Off Fall Time

tf


9


Reverse Recovery Time

trr

IF=84A        VGS=0V

di/dt=100A/μS


43


ns

Reverse Recovery Charge

Qrr


62


nC