80N10

参数

Parameter

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

最小值

Min

典型值

Typ

最大值

Max

单位

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V        ID=250μA

100

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=100V        VGS=0V

1

μA

VDS=80V        TC=125℃

10

μA

Gate-Body Leakage Current

Forward

IGSS

VGS=±20V        VDS=0V

±0.1

μA

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS        ID=250μA

2

4

V

Static Drain-Source

On-Resistance

RDS(on)

VGS=10V        ID=40A

12

15

mΩ

Forward Transconductance

gFS

VDS=15V        ID=20A

45

S

Drain-Source Diode Forward

Voltage

VSD

VGS=0V        IS=80A

1.4

V

Input Capacitance

Ciss

VDS=40V        VGS=0V

f=1MHz

3660

pF

Output Capacitance

Coss

250

Reverse Transfer Capacitance

Crss

125

Turn-On Delay Time

td(on)

VDD=50V        ID=60A RG=1Ω

21

ns

Turn-On Rise Time

tr

10

Turn-Off Delay Time

td(off)

74

Turn-Off Fall Time

tf

16