100N10
描述:TO-263 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管
特征:低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
用途:用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
内部等效电路

引脚排列

电性能参数
参数 Parameter | 符号 Symbol | 测试条件 Test Conditions | 最小值 Min | 典型值 Typ | 最大值 Max | 单位 Unit |
Zero Gate Voltage Drain Current | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | V | ||
Zero Gate Voltage Drain Current | IDSS | VDS=100V VGS=0V | 1 | μA | ||
VDS=84V TC=125℃ | 10 | μA | ||||
Gate-Body Leakage Current Forward | IGSS | VGS=±20V VDS=0V | ±0.1 | μA | ||
Gate Threshold Voltage | VGS(th) | VDS=VGS ID=250μA | 2 | 4 | V | |
Static Drain-Source On-Resistance | RDS(on) | VGS=10V ID=50A | 9.5 | 10.8 | mΩ | |
Forward Transconductance | gFS | VDS=15V ID=20A | 45 | S | ||
Forward On Voltage | VSD | VGS=0V IS=100A | 1.4 | V | ||
Input Capacitance | Ciss | VDS=40V VGS=0V f=1MHz | 5110 | pF | ||
Output Capacitance | Coss | 334 | pF | |||
Reverse Transfer Capacitance | Crss | 150 | pF | |||
Turn-On Delay Time | td(on) | VDD=50V ID=60A RG=1Ω | 21 | ns | ||
Turn-On Rise Time | tr | 10 | ns | |||
Turn-Off Delay Time | td(off) | 74 | ns | |||
Turn-Off Fall Time | tf | 16 | ns |