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100N10

描述TO-263 封装 N 沟道 MOS 场效

特征低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。

用途用于高功率 DC/DC 转换和功率开关

内部等效电路

img1

引脚排列

img2

电性能参数

参数

Parameter

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

最小值

Min

典型值

Typ

最大值

Max

单位

Unit

Zero Gate Voltage Drain Current

BVDSS

VGS=0V        ID=250μA

100



V


Zero Gate Voltage Drain Current


IDSS

VDS=100V        VGS=0V



1

μA

VDS=84V        TC=125



10

μA

Gate-Body Leakage Current

Forward


IGSS


VGS=±20V        VDS=0V




±0.1


μA

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS        ID=250μA

2


4

V

Static Drain-Source

On-Resistance


RDS(on)


VGS=10V        ID=50A



9.5


10.8


m

Forward Transconductance

gFS

VDS=15V        ID=20A


45


S

Forward On Voltage

VSD

VGS=0V        IS=100A



1.4

V

Input Capacitance

Ciss



VDS=40V        VGS=0V

f=1MHz


5110


pF

Output Capacitance

Coss


334


pF

Reverse Transfer Capacitance

Crss


150


pF

Turn-On Delay Time

td(on)




VDD=50V        ID=60A RG=1Ω


21


ns

Turn-On Rise Time

tr


10


ns

Turn-Off Delay Time

td(off)


74


ns

Turn-Off Fall Time

tf


16


ns