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80N08

描述TO-263 封装 N 沟道 MOS 场效

特征低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。无卤产品

用途用于高功率 DC/DC 转换和功率开关

内部等效电路

img1

引脚排列

img2

电性能参数

参数

Parameter

符号

Symbol

测试条件

Test Conditions

最小值

Min

典型值

Typ

最大值

Max

单位

Unit

Zero Gate Voltage Drain Current

BVDSS

VGS=0V        ID=250μA

80



V



Zero Gate Voltage Drain Current



IDSS

VDS=80V        VGS=0V



1

μA

VDS=80V        VGS=0V TC=125




10


μA

Gate-Body Leakage Current

Forward


IGSS


VGS=±20V        VDS=0V




±0.1


μA

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS        ID=250μA

2


4

V

Static Drain-Source

On-Resistance


RDS(on)


VGS=10V        ID=40A



6.5


8


m

Forward Transconductance

gFS

VDS=5V        ID=30A


58


S

Forward On Voltage

VSD

VGS=0V        IS=40A



1.3

V

Input Capacitance

Ciss



VGS=0V        f=1MHz

VDS=25V


3200


pF

Output Capacitance

Coss


330


pF

Reverse Transfer Capacitance

Crss


260


pF

Turn-On Delay Time

td(on)



VDD=30V        ID=2A RL=25Ω

RG=25Ω        VGS=10V


20


ns

Turn-On Rise Time

tr


17.8


ns

Turn-Off Delay Time

td(off)


76.8


ns

Turn-Off Fall Time

tf


15.7


ns